Керамические подложки и корпуса

Этап освоения: Серийное производство, Разработка, опытные образцы

Область применения: Силовые модули, Светодиоды, Микросборки

АО «НЭВЗ-КЕРАМИКС» выпускает керамические подложки (в т.ч. металлизированные) на основе алюмооксидной (Al₂O₃) и алюмонитридной (AlN) керамики, которые используются в электронной и электротехнической областях промышленности. Компания разрабатывает и осваивает:

- носители светодиодных чипов;
- сырую ленту, изготовленную по HTCC технологии (с содержанием Al₂O₃ 96-100%);
- полированные подложки с содержанием Al₂O₃ 99,8%.

Области применения керамических подложек:

- производство корпусов и носителей светодиодных чипов;
- производство монолитных интегральных схем, микросборок;
- производство высоконадежных термоэлектрических элементов Пельтье;
- производство коммутационных микрополосковых плат полупроводниковых приборов;
- производство теплопроводящих изоляторов, систем охлаждения;
- производство прецизионных резисторов;
- производство толстопленочных нагревателей.

Основные физические параметры выпускаемых подложек:

- максимальные размеры подложек - 150×150 мм;
- толщина подложек – от 0,25 до 3,0 мм;
- форма подложек – произвольная, определяется потребителем;
- возможное количество слоев – до 40.

Металлизированные покрытия поверхности подложек:

Металлизированные покрытия обеспечивают возможность пайки твердыми припоями. Варианты наносимых металлизированных покрытий: Никель(Ni).

Покрытие наносится как на металлизированный подслой, так и непосредственно на керамику. Возможны следующие варианты металлизационного подслоя: Молибден-Марганец (Mo-Mn), Вольфрам (W).

Керамика Алюмооксидная Al₂O₃

Физико-механические параметры
Содержание оксида алюминия	≥96%
Цвет	белый
Плотность, г/см³	≥3,72
Прочность на изгиб (20°C), МПа	≥300
Теплопроводность (20°C), Вт/м∙°K	20
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10^-6/°C	8,2
Электрическая прочность, кВ/мм	≥14÷15
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C)	9,0
Диэлектрические потери (тангенс дельта) (1МГц, 25°C)	0,0002
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см	≥10¹⁴

Керамика Алюмонитридная AlN

Физико-механические параметры
Содержание AlN ≥ 98%	≥98
Цвет	серый
Плотность, г/см³	3,30
Прочность на изгиб (20°C), МПа	260
Теплопроводность (от 20 до 100°C), Вт/м∙K	180-220
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10^-6/°C	6,2
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C)	0,0003
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C)	8,7
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см	10¹⁵
электрическая прочность, кВ/мм	14÷15

Для улучшения теплопроводности, удельного электрического сопротивления и прочностных характеристик керамических подложек на предприятии используются технологии введения в состав керамической композиции модифицированных Al₂O₃ и AlN-нанопорошков и армирования Al₂O₃-нановолокнами

Наименование продукции	Этап освоения	Область применения
Al₂O₃	Серийное производство	Силовые модули (преобразовательная техника, силовая электроника)
AlN	Серийное производство
Носители светодиодных чипов	Разработка, опытные образцы
Сырая лента, изготовленная по HTCC-технологии	Освоение производства, проведение испытаний	Светодиоды (Энергосберегающие технологии)

Другие продукты и материалы:

Керамика ВК-100-1

Физико-механические параметры	Норма
Предел прочности при статическом изгибе, МПа, не менее	313,8
Тангенс угла диэлектрических потерь в диапозоне частот (8-10) ГГц при температуре 25°C, не более	9,6+0,2
Диэлектрическая проницаемость подложек размером 60х48х0,5...1,0 в диапозоне частот 8-10Гц, не более	2*10¹⁴
Температурный коэффициент линейного расширения в интервале температур: Т=(20+10-200)°C	(60+5)10^-7 (70+5)10^-7
Кажущаяся плотность, г/см³	3,94