Керамические подложки и корпуса
Этап освоения: Серийное производство, Разработка, опытные образцы
Область применения: Силовые модули, Светодиоды, Микросборки
АО «НЭВЗ-КЕРАМИКС» выпускает керамические подложки (в т.ч. металлизированные) на основе алюмооксидной (Al2O3) и алюмонитридной (AlN) керамики, которые используются в электронной и электротехнической областях промышленности. Компания разрабатывает и осваивает:
- носители светодиодных чипов;
- сырую ленту, изготовленную по HTCC технологии (с содержанием Al2O3 96-100%);
- полированные подложки с содержанием Al2O3 99,8%.
Области применения керамических подложек:
- производство корпусов и носителей светодиодных чипов;
- производство монолитных интегральных схем, микросборок;
- производство высоконадежных термоэлектрических элементов Пельтье;
- производство коммутационных микрополосковых плат полупроводниковых приборов;
- производство теплопроводящих изоляторов, систем охлаждения;
- производство прецизионных резисторов;
- производство толстопленочных нагревателей.
Основные физические параметры выпускаемых подложек:
- максимальные размеры подложек - 150×150 мм;
- толщина подложек – от 0,25 до 3,0 мм;
- форма подложек – произвольная, определяется потребителем;
- возможное количество слоев – до 40.
Металлизированные покрытия поверхности подложек:
Металлизированные покрытия обеспечивают возможность пайки твердыми припоями. Варианты наносимых металлизированных покрытий: Никель(Ni).
Покрытие наносится как на металлизированный подслой, так и непосредственно на керамику. Возможны следующие варианты металлизационного подслоя: Молибден-Марганец (Mo-Mn), Вольфрам (W).
Керамика Алюмооксидная Al2O3
Физико-механические параметры | |
---|---|
Содержание оксида алюминия | ≥96% |
Цвет | белый |
Плотность, г/см3 | ≥3,72 |
Прочность на изгиб (20°C), МПа | ≥300 |
Теплопроводность (20°C), Вт/м∙°K | 20 |
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10-6/°C | 8,2 |
Электрическая прочность, кВ/мм | ≥14÷15 |
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C) | 9,0 |
Диэлектрические потери (тангенс дельта) (1МГц, 25°C) | 0,0002 |
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см | ≥1014 |
Керамика Алюмонитридная AlN
Физико-механические параметры | |
---|---|
Содержание AlN ≥ 98% | ≥98 |
Цвет | серый |
Плотность, г/см3 | 3,30 |
Прочность на изгиб (20°C), МПа | 260 |
Теплопроводность (от 20 до 100°C), Вт/м∙K | 180-220 |
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10-6/°C | 6,2 |
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) | 0,0003 |
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C) | 8,7 |
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см | 1015 |
электрическая прочность, кВ/мм | 14÷15 |
Для улучшения теплопроводности, удельного электрического сопротивления и прочностных характеристик керамических подложек на предприятии используются технологии введения в состав керамической композиции модифицированных Al2O3 и AlN-нанопорошков и армирования Al2O3-нановолокнами
Продукт | Наименование продукции | Этап освоения | Область применения |
---|---|---|---|
![]() ![]() |
Al2O3 |
Серийное производство |
Силовые модули (преобразовательная техника, силовая электроника)![]() ![]() |
AlN | Серийное производство | ||
Носители светодиодных чипов | Разработка, опытные образцы | ||
![]() ![]() |
Сырая лента, изготовленная по HTCC-технологии | Освоение производства, проведение испытаний | Светодиоды (Энергосберегающие технологии)![]() ![]() |
Другие продукты и материалы:
Керамика ВК-100-1
Физико-механические параметры | Норма |
Предел прочности при статическом изгибе, МПа, не менее | 313,8 |
Тангенс угла диэлектрических потерь в диапозоне частот (8-10) ГГц при температуре 25°C, не более |
9,6+0,2
|
Диэлектрическая проницаемость подложек размером 60х48х0,5...1,0 в диапозоне частот 8-10Гц, не более |
2*1014
|
Температурный коэффициент линейного расширения в интервале температур: Т=(20+10-200)°C |
(60+5)*10-7
(70+5)*10-7
|
Кажущаяся плотность, г/см3 |
3,94
|